高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器

摘要：

通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h)，阈值电流随老化时间的延长而下降，下降幅度高达57mA，从1000h多的恒流电老化结果可以看出，器件的输出光功率在老化初期有所上升，随后，表现出按指数规律缓慢下降的行为。初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力。

关键词： 高功率 单量子阱 远结半导体激光器

作者: 石家纬 张素梅 齐丽云

作者单位: 吉林大学电子工程系集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 240～242

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）