三元系ZrO<,2>-Y<,2>O<,3>-Yb<,2>O<,3>材料的低温电性能

摘要：

采用复阻抗技术对三元系ZrO<,2>-Y<,2>O<,3>-Yb<,2>O<,3>材料在573-873K内的离子电导率随组成的变化关系进行了研究，发现该材料的低温电导率随YbO<,3>含量的增加而降低。用Arrhenius公式对实验数据进行的分析表明，电导率降低的原因在于Yb<”3+>与结构中氧空位之间的缔合比Y<”3+>与氧空位之间的缔合更甚，阻碍了氧空位在低温下的定向迁移。

关键词： ZrO<,2>材料 电导率 缺陷缔合 复阻抗 Arrhenius公式

作者: 李英 唐子龙

作者单位: 中国科学院化工冶金研究所(北京) 清华大学材料科学与工程系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 173～174

在线出版日期: 2000-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）