中子辐照CMOS有源像素传感器的位移效应研究
本文对某国产0.5μmCMOS N阱工艺制造的CMOS APS进行了中子辐照试验,研究了器件的位移损伤效应.当中子辐照注量达到预定注量点时,采用移位的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出信号等参数的变化情况;试验结果表明,暗信号和暗信号非均匀性随着中子辐照注量的增大而显著增大,饱和输出信号基本保持不变.本次试验还在样品芯片上引出了独立的像素单元测试管脚,测试了不同积分时间下像素单元输出信号.通过本次辐照试验,获得了CMOS APS受中子辐照后参数退化规律,深入揭示了器件的位移损伤效应,为研制国产加固CMOS图像传感器提供了试验技术和理论支持.
有源像素传感器 互补金属氧化物半导体 位移效应 中子辐照
汪波 曾骏哲 李豫东 郭旗 文林 任迪远 刘昌举 玛丽娅 施炜雷 王海娇
中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号,830011 重庆光电技术研究所,重庆市南坪区花园路14号,400060
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2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）