中子辐射损伤等效性研究综述

摘要：

为建立不同中子模拟辐射源辐射损伤评价的统一尺度,制定半导体器件、部组件抗中子辐射性能考核及验收的依据,国内外开展了大量的研究工作.通过梳理中子辐射损伤等效性研究的理论方法和实验方法,在此基础上对比分析国内外研究现状,对将来的工作进行了展望,有利于重建文档资料,加强人员培训,保持人才队伍及实验能力.

关键词： 半导体器件 中子辐射效应 辐射损伤 等效性

作者: 邹德慧 邱东

作者单位: 中国工程物理研究院中子物理学重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 1-9

在线出版日期: 2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）