HfAlO高K栅介质p-GaAs金属氧化物半导体电容的界面特性

摘要：

本文研究了以HfAlO为栅介质的p-GaAs衬底金属氧化物半导体电容的电容-电压(C-V)特性.通过研究了2种组分的HfAlO栅介质(Hf0.5Al0.5Ox和Hf0.8Al0.2Ox)与Al2O3栅介质,发现当Hf与Al组分为1:1时其C-V特性和界面特性最好,界面态密度达到了1012eV-1cm-2的量级.

关键词： 砷化镓场效应晶体管 栅介质 二氧化铪 氧化铝 界面特性 电容-电压特性

作者: 覃载阳 吕红亮 张玉明 张义门 刘琛

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 108-111

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）