C波段内匹配功率放大器设计与实现

摘要：

本文利用Triquint TGF2023 5mmGaN高电子迁移率器件,设计了一款高效率C波段内匹配功率放大器.整个放大器由1个5mm栅宽的GaN HEMT、制作在陶瓷基片上的输入输出匹配电路以及功率分配与合成器组成。为使其具有较高效率，使用L-C网络对二次谐波进行调制,使其负载阻抗位于效率圆的中心附近.随后将基波下的源阻抗、负载阻抗匹配至50Ohm,并利用威尔金森功分器进行功率分配与合成.经调试,所得到功率放大器在在5.3-5.7GHz 频率范围内,功率均在13.2W以上,增益大于15.38dB,效率高于49.75％.

关键词： 功率放大器 电路设计 内匹配功率合成技术 高电子迁移率晶体管 氮化镓

作者: 卢阳 曹梦逸 魏家行 霍瑞斌 董梁 王毅 马晓华 郝跃

作者单位: 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 355-359

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）