单晶Tm2O3薄膜的制备与F-N隧穿机制

摘要：

　　采用分子束外延(MBE)方法,并结合原位退火生长技术在Si(001)基片上制备了Tm2O3 薄膜,XRD 测量结果表明所制备的样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS 电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品的F-N隧穿特性,得出Pt/Tm2O3 和Al/Tm2O3 的势垒高度分别为2.95 eV 和1.8 eV.从能带的角度表明Tm2O3 是一种很有前途的高K 栅介质候选材料.

关键词： 分子束外延(MBE) 单晶Tm2O3 F-N隧穿特性 高K栅介质材料

作者: 杨百良 杨晓峰 刘士彦 谭永胜 冀婷 方泽波

作者单位: 绍兴文理学院物电系, 浙江 312000 太原理工大学物理与光电工程学院, 山西 030024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 烟台

会议语种:中文

页码: 246-249

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）