反应溅射氧分压对In2O3薄膜光电转换性能的影响

摘要：

用直流磁控溅射在不同溅射功率下制备不同厚度的In2O3薄膜。通过XRD分析薄膜结构,用紫外可见光谱分析薄膜的光吸收能力,并推导薄膜的光学带隙。结果表明,室温反应溅射条件下,直接溅射得到的薄膜都是非晶薄膜,且吸光度随制备氧分压的增大而减小,相同功率下,薄膜厚度随氧分压增大而减小,光吸收起始位置也随之蓝移。相同偏压下,薄膜的单色光转换效率(IPCE)随氧分压增大先减小后增大。在0.5mol/L Na2SO4溶液中,0.26Pa氧分压得到的样品IPCE为14.8％(λ=400nm)。在1.0V Ag/AgCl偏压下,0.26Pa氧分压样品光电流为28μA/cm2。

关键词： 三氧化二铟薄膜 结构特征 光学带隙 光电转换性能

作者: 杨鑫 练晓娟 刘尚军 田晶 陈金伟 王瑞林

作者单位: 四川大学材料科学与工程学院,四川 成都 610065;重庆文理学院重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室,重庆 402160 四川大学材料科学与工程学院,四川 成都 610065

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013海峡两岸功能材料科技与产业峰会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 68-70

在线出版日期: 2013-05-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）