VDMOS外延材料在工艺生长中的缺陷控制

摘要：

　　功率MOSFET是一种电压控制型单级晶体管，其有驱动电路简单、驱动功率小、高预特性好等优点。由于功率VDMOS管是由几百到几千个元胞组成的单管，因此必须采用超大规模集成电路的精细加工技术所以对外延片表面的颗粒度要求极高。本文主要讨论了在125mmVDMOS外延材科工艺中的缺陷成因、形态以及减少的办法。

关键词： 单级晶体管 功率VDMOS管 外延材科 缺陷分析

作者: 骆红 谭卫东 唐有青 孙健

作者单位: 南京国盛电子公司,南京 210038

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 509-511

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）