蒙特卡罗模拟氧化铝中的电子输运过程
随着MOS器件特征尺寸的不断减小，传统上广泛使用的氧化硅介质材料已经不能满足器件性能发展的需要，氧化铝以其介电常数大、绝缘性好、稳定性高等优点被广泛关注。本文建立了氧化铝的散射模型，利用蒙特卡罗方法对氧化铝中电子的输运行为进行了模拟，得到了载流子在氧化铝介质中的能量迟豫、动量迟豫等一系列性质，为氧化铝的特性研究提供了有益的资料，为氧化铝在逻辑与存储器件中的应用提供了基础。
氧化铝半导体 电子传递 蒙特卡罗模拟 材料性能
王卓妍 宋云成 杜刚 韩汝琦 刘晓彦
北京大学 微电子学系,北京 100871
国内会议
重庆
中文
524-527
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）