多晶硅电池叠层抗反射层的设计研究

摘要：

　　根据多晶硅电池对于表面抗反射薄膜设计的需要，基于薄膜反射特征导纳矩阵理论，结合电池的背底反射，建立了较完善的表面反射和电池吸收计算模型。通过分析计算，设计了硅量子点镶嵌氮化硅与二氧化硅组成的双层抗反射薄膜，在AM1.5光谱下其积分反射率最低可达到4.38％。此外分析了不同硅量子点体积比对双层抗反射膜的影响。

关键词： 多晶硅电池 抗反射薄膜 反射率 硅量子点

作者: 丁武昌 贾锐 陈晨 孟彦龙 崔冬萌 李昊峰 金智 刘新宇 叶甜春

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 199-202

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）