从聚电解质刷的溶胀行为预测Au-S键的断裂
研究表明通过物理作用实现共价键断裂的方法有光、超声、反复冻融等。这里我们报道一种新的断键的物理方法，即当处于一定盐浓度的磷酸盐缓冲溶液(PBS.pH=7.4，下同)时，接枝到表面的聚电解质刷内部反离子产生的渗透压能够导致Au-S键的断裂。 我们首先通过表面引发聚合方法(SIP)在石英晶体微天平(QCM)芯片表面接枝甲基丙烯酸寡聚乙二醇酯(OEGMA)和甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)共聚物刷(poly(OEGMA-co-HEMA)).进一步羧基化后得到了聚电解质刷。其次，我们通过QCM对聚电解质刷的溶胀行为以及Au-S键的断裂过程进行了实时监测。
聚电解质 渗透压 共价键断裂 石英晶体微天平
马宏伟 张燕霞 何建安
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 江苏省苏州市工业圈区独墅湖高等教育区若水路398号 215123
国内会议
上海
中文
181-182
2010-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）