单源共蒸发制备CuInS2薄膜XRD分析
单源真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的相结构进行表征，研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、导电类型的影响。XRD分析给出：最有效的S的原子配比为X=1.2，可得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜，沿(112)晶向择优生长。实验结果显示：合理改变热处理条件，可获得不同导电类型的CuInS2薄膜，同样用Cu：In：S=1：0.1：1.2原子比混合沉积的薄膜，通过400℃热处理20 min，CuInS2薄膜的导电类型为p型;升高温度到440℃，进行热处理10 min，则得到n型CuInS2薄膜。
单源共蒸发 铜铟镓硒薄膜 热处理 相结构 导电类型
谢俊叶 李健 王延来
内蒙古大学物理科学与技术学院 内蒙古大学物理科学与技术学院 内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室,呼和浩特 010021
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2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）