CuO/TiO2纳米管阵列薄膜电极的制备及光电性能
用阳极氧化法在钛基体上得到二氧化钛纳米管阵列薄膜，然后用电沉积的方法修饰上铜，再经过热处理得到铜氧化物修饰TiO2电极。使用X射线衍射(XPD)、扫描电镜(SEM)和光电化学等测试技术对膜电极进行表征的结果表明，TiO2纳米管阵列薄膜电极修饰CuO后可提高光生电子-空穴的分离效率，修饰铜量的最佳条件是在-0.45V(vs.Ag/Agel)恒压电沉积200S，在紫外光激发下光电流密度可提高约6倍，在氙灯光源激发下则提高约22.5倍。铜氧化物修饰可以提高TiO2纳米管阵列薄膜电极的光响应范围和光电流大小。
纳米管阵列 电沉积 光电性能 薄膜电极 阳极氧化法 二氧化钛
黄凤翔 钟秋菊 肖信 舒东 南俊民
华南师范大学化学与环境学院,广州 510006
国内会议
广州
中文
383-384
2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）