GaAs衬底上GaInP材料的生长
InGaAsP/GaAs体系作为AlGaAs/GaAs体系的替代材料,有以下主要优点:无铝体系,氧化速率慢,易于工艺制作;表面及界面复合速率低;四元体系,利用应变补偿效应;易于选择腐蚀。在光电子、微电子领域有广泛的应用。而GaInP由于材料性能和外延工艺的特点,在InGaAsP/GaAs体系中具有代表性和重要意义。本文针对GaInP材料生长的关键问题,结合外延工艺和材料测试,对GaInP材料的外延生长进行了初步的研究,为无铝激光器和GaInP pHEMT的外延生长奠定了基础。
半导体材料 GaInP 外延生长 GaAs衬底
陈宏泰 刘英斌 杨红伟 赵润 林琳 王晶
中国电子科技集团公司第十三研究所
国内会议
广州
中文
123-124
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）