在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变
文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析.研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,”1-1-1”、”01-1”两个方向的剪切角γ”1-1-1”和λ”01-1”都有变小的趋势,且γ”1-1-1”的大小约为γ”01-1”的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变.CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变.
倒易点二维扫描图 剪切应变 正应变 分子束外延 晶格应变
王元樟 陈路 巫艳 吴俊 于梅芳 方维政 何力
中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心,上海,200083
国内会议
乌鲁木齐
中文
861-863
2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）