氮分压对反应磁控溅射法制备TiN薄膜结构和形貌的影响

摘要：

本文采用反应磁控溅射的方法,以Si(111)为基底,在不同的氩氮流量比(即不同氮分压)的条件下,制备了一系列的TiN薄膜.用XRD和SEM表征了薄膜的结构和形貌.研究了不同氮分压对薄膜结构和形貌的影响.结果表明:高氮分压条件下制备的TiN薄膜具有”100”择优取向;较低氮分压条件下制备的TiN薄膜呈”111”择优取向;在更低或中间数值的氮分压条件下,TiN薄膜表现出任意取向;薄膜的沉积速率随着氮分压的增大而减小。

关键词： 反应磁控溅射 TiN薄膜 氮分压 择优取向 薄膜结构 薄膜形貌

作者: 杨凯 张旭海 于金 蒋建清

作者单位: 东南大学材料系,南京,210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 2005年全国材料科学与工程学术会议

会议地点: 辽宁锦州

会议语种:中文

页码: 165-169

在线出版日期: 2005-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）