高能Xe离子辐照引起的注碳a:SiO2中新结构的形成
先用120 keV的碳离子注入非晶二氧化硅a:SiO2薄膜, 再用能量为1 754 MeV 的 Xe离子辐照.注碳量为5.0×1016-8.6×1017 ion/cm2, Xe离子辐照剂量为1.0×1011和5.0×1011 ion/cm2. 辐照后的样品中形成的新结构用显微傅立叶变换红外光谱仪进行测试分析.结果表明, Xe 离子辐照引起了注碳a:SiO2中Si-C, C-C, Si-O-C键以及CO和CO2分子的形成与演化.在注碳量较高时, Xe离子辐照在样品中产生了大量的Si-C键.与注入未辐照和辐照的低注碳量样品比较, 增强的Si-C键的形成, 预示着辐照可引起注碳a:SiO2样品中的SiC结构相变.
离子注入 高能离子辐照 a:SiO2 新结构
赵志明 王志光 宋银 金运范 孙友梅
中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国科学院研究生院,北京,100049 中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000
国内会议
兰州
中文
189-193
2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）