过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT

摘要：

首次提出用过腐蚀自对准离子注入的工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管,过腐蚀湿法腐蚀的横向粘蚀,为自对准离子注入提供了技术保障.对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻,又有利于欧姆接触的制备,提高了器件的工艺成品率.

关键词： 过腐蚀 自对准 离子注入 SiGe HBT 异质结双极型晶体管 制备工艺

作者: 姚飞 成步文 薛春来 王启明

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 538-542

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）