纳米硅量子线的发光特性研究

摘要：

利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法,制备出纯度极高、直径分布均匀(13nm左右)的硅的一维量子线.光致发光(PL)测量显示,在313.5nm激光激发下,室温下硅量子线具有红绿蓝三色发光.对硅量子线进行氧化处理后,随氧化时间的增加,红光PL峰发生蓝移,而绿、蓝峰没有移动.红光PL与量子尺寸限制效应有关,而绿、蓝光PL来源于表层氧化硅中的缺陷发光.

关键词： 纳米硅 量子线 光致发光 量子限制 高分辨电镜 脉冲激光蒸发 高温物理升华 光致发光 硅基低维材料

作者: 俞大鹏

作者单位: 北京大学物理系介观物理国家重点实验室;北京大学电子显微镜实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届海内外中华青年学者材料科学技术研讨会暨第七届全国青年材料科学研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 569-571

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）