利用光刻去胶法制备高磁电阻磁性隧道结

摘要：

利用磁控溅射和光刻去胶法制备了结区面积为20×40μm<”2>的磁性隧道结(MTJ),室温下隧穿磁电阻(TMR)比值为28.7﹪,结电阻和结面积的积矢(RS)为4068Ωμm<”2>.经过退火处理后,室温磁电阻达到49.1﹪,RS为6325Ωμm<”2>,自出层的反转场为50Oe.结果表明,这种利用光刻去胶法制备的钉扎型磁性隧道结可以用于制备磁随机存储器(MRAM)的存储单元或其它磁敏传感器的探测单元.

关键词： 光刻去胶法 磁性隧道结 高磁电阻

作者: 李飞飞 王天兴 丰家峰 冯玉清 王伟宁 韩秀峰

作者单位: 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议

会议地点: 天津

会议语种:中文

页码: 11-13

在线出版日期: 2004-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）