氮化镓薄膜研究现状

摘要：

氮化镓(GaN)材料是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体材料,GaN是在绿、蓝、紫以及紫外波段最有应用前途的光电子材料.由于其优良的性能,近几年成为国际上研究的热点,本文系统讨论了GaN薄膜的研究发展现状.

关键词： 氮化镓薄膜 氮化镓 半导体材料

作者: 张建强 朱君山 张红娣 张建峰 刘彩池

作者单位: 河北工业大学半导体材料研究所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 55-58

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）