快中子辐照直拉硅的红外吸收分析

摘要：

应用FTIR研究不同剂量快中子辐照直拉硅中的辐照缺陷和间隙氧的行为,实验中在485cm<”-1>处发现了一个新的红外吸收峰,对辐照样品进行了100-1200℃ 1小时热处理初步确定这个吸收峰是与辐照缺陷相联系的,而与氧无关.

关键词： 红外吸收分析 快中子辐照直拉硅 辐照缺陷

作者: 杨帅 孙建忠 郝秋艳 马巧云 刘铁驹 黄千驷 刘彩池 李养贤 李翔 沈浩平 胡元庆 李永章 牛胜利 李洪涛

作者单位: 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津) 环欧半导体技术有限公司(天津) 中国原子能科学研究院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 459-461

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）