新型透明氧化物半导体薄膜晶体管器件研究

摘要：

透明非晶氧化物半导体(TAOS)作为TFT的沟道材料表现出来的良好性能已经引起了大家高度的重视,文章简述了现有非晶氧化物半导体薄膜晶体管结构,对新型非晶氧化物半导体薄膜晶体管器件进行分析,制造了一种采用氧化铝为刻蚀阻挡层的IGZO TFT器件,器件具有良好的电气特性,该新型器件在显示器领域具有广阔的前景.

关键词： 薄膜晶体管 氧化铝弥撒铜 结构分析 制造工艺

作者: 严光能 马群刚

作者单位: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司研发中心,江苏 南京 210033

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014中国平板显示学术会议

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 105-107

在线出版日期: 2014-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）