中子、γ射线对半导体器件辐射效应模拟研究
本文主要论述了中子和γ射线对半导体器件的辐射危害及其作用机理、中子和γ射线对半导体器件的辐射效应的计算机模拟分析以及MCNP4C程序。并针对放射源与半导体器件的不同位置关系，通过构建相应的计算模型，运用MCNP4C程序仿真计算了中子、γ射线在半导体器件中的平均注量和平均能量沉积，计算了辐射环境下半导体器件在一年内总的注量和能量沉积数值,描绘了半导体器件在不同比例材料组成的情况下所受辐射量的变化曲线图。
中子 γ射线 辐射效应 半导体器件 蒙特卡罗方法 计算机模拟
王冬 何彬 罗忠辉 李如松 张全虎
第二炮兵工程学院,西安,710025
国内会议
青岛
中文
81-85
2008-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）