超临界二氧化碳溶液清洗及修复Low-k材料研究

摘要：

随着集成电路微型化和结构复杂程度的提高,微电子清洗过程中,结构构型由于表面张力的作用而导致的塌陷和变形已成为日益严重的问题。含表面活性剂的超临界二氧化碳可以将体系表面张力降低到1 mN/m,不会造成图像的变形.结果显示,含表面活性剂的超临界二氧化碳可以达到良好的清洗效果.清洗后硅片用Hexamethyldisilazane修复后,其介电常数得以保持.

关键词： 超临界二氧化碳 介电常数 集成电路 微电子清洗 表面活性剂 清洗效果

作者: 张小岗 柴家珏

作者单位: 中国人民大学化学系,北京,100872

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国超临界流体技术学术及应用研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 496-499

在线出版日期: 2008-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）