分步偏压溅射法制备碳化硅薄膜

摘要：

采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm<”-1>附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相Si-C(β-Si-C)的形成.从傅立叶红外光谱Si-C特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的Si-C薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,Si-C薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了Si-C薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降.

关键词： 分步偏压 SiC 溅射氚渗透率 碳化硅薄膜 傅立叶红外谱 半导体材料

作者: 严辉 谭利文 宋雪梅 王波 陈光华 姚振宇 刘立明 程业浩

作者单位: 北京工业大学材料学院(北京) 中国原子能科学研究院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届海内外中华青年学者材料科学技术研讨会暨第七届全国青年材料科学研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 612-614

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）