固态再结晶法生长碲镉汞晶体的缺陷研究

摘要：

该文简单介绍了利用金相显微镜、扫描电镜和同步辐射等方法，在用固态再结晶技术生长的原生碲镉汞晶体中所观察到的缺陷，简单讨论了这些缺陷的成因及其与生长过程的关系，并认为提高原材料统纯度、合适的化学组分配比及改善淬火工艺，可以减少缺陷，改善碲镉汞晶体的质量。

关键词： 结构缺陷 碲镉汞 固态再结晶

作者: 王跃 宋炳文 韩庆林 李全保 王跃

作者单位: 西北工业大学凝固技术国家重点实验室(西安) 昆明物理研究所(昆明)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国红外科学技术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）