利用金属掩膜法制备高磁电阻磁性隧道结
利用金属掩膜法,优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,同时利用狭缝宽度为100μm的金属掩膜直接制备出室温磁电阻比值为41.5﹪的磁性隧道结,其结电阻为1.87Ω,结电阻和结面积的积矢为1.87×10<”4>Ωμm<”2>,自由层的偏转场为6.2Oe,并且在外加磁场4.6和6.2Oe之间时室温磁电阻比值从0.5﹪跳跃增加到33.5﹪,磁场灵敏度达到20.6﹪/Oe.结果表明,这种金属掩膜法制备的磁性隧道结可用于磁敏传感器件.
金属掩膜法 磁性隧道结 磁电阻
韩秀峰 王伟宁 李飞飞 赵素芬 彭子龙 詹文山
中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室(北京)
国内会议
长沙
中文
142-143
2002-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）