不同熔体配比的Inp晶片FT-IR测试分析
该文采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体，利用液封直拉法（LEC）分别从不同化学计量比条件下的IsP熔体中生长InP单晶材料。对材料进行了村立叶变换红外吸收谱（FT-IR）的测试。测试结果表明：①本文采用原位磷注入合成LEC生长的InP晶体含有相对较高浓度的氢的复合体，以至于室温条件下己能检测到2316cm-1氢的局域振动模（H-LVM）；②2316cm-1蜂的强度随富铟，近化学配比，富磷熔体化学计量比条件的变化逐渐增强。
熔体配比 Inp晶片 FT-IR测试分析
陈旭东 孙聂枫
部第十三研究所(石家庄)
国内会议
宜昌
中文
146～149
1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）